TSMC将在美国占2NM的30％和更先进的芯片?

TSMC管理层已透露，周四的公司收入呼吁该公司计划在美国生产N2（2纳米）产品的30％，并在亚利桑那州凤凰城附近建立Fab 21工厂，这是一个单独的半导体制造集群。最大的芯片合同制造商还表示，它打算加快新工厂21模式的构建，以在N3（3纳米尺度），N2和A16和A16（1.6纳米计尺度）节点上生产芯片。本文引用了以下地址：“完成后，在亚利桑那州约有30％的2NM和更高级的容量，在美国创建了独立的半导体制造业顶级集群。” TSMC首席执行官兼董事长Wei在准备演讲中。 “它还创造了更大的经济性，并将有助于在美国模块中建立一个更完整的半导体供应链生态系统，因此该岛仍然可以使TSMC大部分的高级芯片构建N3-ability Fab 21模块2是亚利桑那州的第二家制造厂，已经完成，该公司正在努力开始在那里安装设备，希望在该工厂中至少在2028年第一个模糊计划之前的几个季度大量生产筹码。 Fab 21模块3和4（公司将使用N2和A16节点设施）明年将开始建设，如果获得了所有必需的许可证。 TSMC不会披露这些Fab 21组件的时间表，但是如果有理由期望其中至少一个人在2029年初生活，如果TSMC可以按时获得所有必要的设备。 TSMC的Fab 21模块5和6将使用A16以外的技术流程（认为A14可能更先进），但它们的构造和输出时间表取决于客户需求。 TSMS对Fab 21的宏伟计划是在Gigafab群集中形成它，每月至少从100,000个晶体开始，但这将会看到这将会发生。 “我们的扩展计划将为Expa提供TSMCND Gigafab群集以支持我们在智能手机，AI和HPC应用程序中的领先客户的需求。” Wei补充说。